Modification of Akhieser mechanism in Si nanomembranes and thermal conductivity dependence of the Q-factor of high frequency nanoresonators
Chávez Ángel, Emigdio (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Zarate, R. A. (Universidad Católica del Norte. Departamento de Física)
Gomis-Bresco, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Data:	2014
Resum:	We present and validate a reformulated Akhieser model that takes into account the reduction of thermal conductivity due to the impact of boundary scattering on the thermal phonons' lifetime. We consider silicon nanomembranes with mechanical mode frequencies in the GHz range as textbook examples of nanoresonators. The model successfully accounts for the measured shortening of the mechanical mode lifetime. Moreover, the thermal conductivity is extracted from the measured lifetime of the mechanical modes in the high-frequency regime, thereby demonstrating that the Q-factor can be used as an indication of the thermal conductivity and/or diffusivity of a mechanical resonator.
Ajuts:	European Commission 309150 Ministerio de Economía y Competitividad MAT2012-31392 Ministerio de Economía y Competitividad CSD2010-0044
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Publicat a:	Semiconductor science and technology, Vol. 29, issue 12 (Dec. 2014) , art. 124010, ISSN 1361-6641

DOI: 10.1088/0268-1242/29/12/124010

Postprint 13 p, 281.1 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats