Distortion-free sensing of neural activity using graphene transistors
Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Masvidal Codina, Eduard (Instituto de Microelectrónica de Barcelona)
De la Cruz Sánchez, José M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Schwesig, Gerrit (Ludwig-Maximilians Universität München. Faculty of Medicine)
Jeschke, C. (Multi Channel Systems (MCS) GmbH)
Martínez-Aguilar, Javier (Instituto de Microelectrónica de Barcelona)
Sánchez-Vives, María V (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats)
Villa, Rosa (Instituto de Microelectrónica de Barcelona)
Illa, Xavi (Instituto de Microelectrónica de Barcelona)
Sirota, Anton (Ludwig-Maximilians Universität München. Faculty of Medicine)
Guimerà, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Data:	2020
Resum:	Graphene solution-gated field-effect transistors (g-SGFETs) are promising sensing devices to transduce electrochemical potential signals in an electrolyte bath. However, distortion mechanisms in g-SGFET, which can affect signals of large amplitude or high frequency, have not been evaluated. Here, a detailed characterization and modeling of the harmonic distortion and non-ideal frequency response in g-SGFETs is presented. This accurate description of the input-output relation of the g-SGFETs allows to define the voltage- and frequency-dependent transfer functions, which can be used to correct distortions in the transduced signals. The effect of signal distortion and its subsequent calibration are shown for different types of electrophysiological signals, spanning from large amplitude and low frequency cortical spreading depression events to low amplitude and high frequency action potentials. The thorough description of the distortion mechanisms presented in this article demonstrates that g-SGFETs can be used as distortion-free signal transducers not only for neural sensing, but also for a broader range of applications in which g-SGFET sensors are used.
Nota:	Número d'acord de subvenció EC/H2020/785219
Nota:	Número d'acord de subvenció EC/H2020/732032
Nota:	Número d'acord de subvenció MCIU/FIS2017-85787-R
Nota:	Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2017-0706
Nota:	Número d'acord de subvenció AGAUR/2017/SGR-1426
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	article ; recerca ; submittedVersion
Matèria:	Frequency response ; Graphene ; Harmonic distortion ; Neural sensing ; Solution-gated field-effect transistors
Publicat a:	Small, Vol. 16, issue 16 (April 2020) , art. 1906640, ISSN 1613-6829

DOI: 10.1002/smll.201906640

Preprint 35 p, 2.0 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats