Thermal rectification in silicon by a graded distribution of defects
Dettori, Riccardo (Università di Cagliari. Dipartimento di Fisica)
Melis, Claudio (Università di Cagliari. Dipartimento di Fisica)
Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Fecha:	2016
Resumen:	We discuss about computer experiments based on nonequilibrium molecular dynamics simulations providing evidence that thermal rectification can be obtained in bulk Si by a non-uniform distribution of defects. We consider a graded population of both Ge substitutional defects and nanovoids, distributed along the direction of an applied thermal bias, and predict a rectification factor comparable to what is observed in other low-dimensional Si-based nanostructures. By considering several defect distribution profiles, thermal bias conditions, and sample sizes, the present results suggest that a possible way for tuning the thermal rectification is by defect engineering.
Ayudas:	Ministerio de Economía y Competitividad FIS2012-37549-C05-02 Ministerio de Economía y Competitividad MAT2013-40581-P Ministerio de Economía y Competitividad TEC2012-31330 Ministerio de Economía y Competitividad TEC2015-67462-C2-1-R Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295 Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2015-0496 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-301 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Computer experiment ; Defect distribution ; Defect engineering ; Graded distributions ; Non-uniform distribution ; Nonequilibrium molecular dynamics simulation ; Rectification factors ; Substitutional defects
Publicado en:	Journal of applied physics, Vol. 119, issue 21 (June 2016) , art. 215102, ISSN 1089-7550

DOI: 10.1063/1.4953142

6 p, 3.6 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados