Valley Hall effect and nonlocal resistance in locally gapped graphene
Aktor, Thomas (Technical University of Denmark. Center for Nanostructured Graphene)
Garcia, José H 
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Jauho, Antti-Pekka (Technical University of Denmark. Center for Nanostructured Graphene)
Power, Stephen R. (Trinity College Dublin. School of Physics)
| Fecha: |
2021 |
| Resumen: |
We report on the emergence of bulk, valley-polarized currents in graphene-based devices, driven by spatially varying regions of broken sublattice symmetry, and revealed by nonlocal resistance (RNL) fingerprints. By using a combination of quantum transport formalisms, giving access to bulk properties as well as multiterminal device responses, the presence of a nonuniform local band gap is shown to give rise to valley-dependent scattering and a finite Fermi-surface contribution to the valley Hall conductivity, related to characteristics of RNL. These features are robust against disorder and provide a plausible interpretation of controversial experiments in graphene/hexagonal boron nitride superlattices. Our findings suggest both an alternative mechanism for the generation of valley Hall effect in graphene and a route towards valley-dependent electron optics, by materials and device engineering. |
| Ayudas: |
European Commission 881603
Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2017-0706
|
| Nota: |
Altres ajuts: ICN2 is funded by the CERCA Programme/Generalitat de Catalunya. |
| Derechos: |
Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.  |
| Lengua: |
Anglès |
| Documento: |
Article ; recerca ; Versió sotmesa a revisió |
| Materia: |
Dependent scatterings ;
Device engineering ;
Device response ;
Hall conductivity ;
Multi terminals ;
Quantum transport ;
Sublattice symmetry ;
Surface contribution |
| Publicado en: |
Physical review B, Vol. 103, issue 11 (March 2021) , art. 115406, ISSN 2469-9969 |
DOI: 10.1103/PhysRevB.103.115406
El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación >
Documentos de los grupos de investigación de la UAB >
Centros y grupos de investigación (producción científica) >
Ciencias >
Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)Artículos >
Artículos de investigaciónArtículos >
Artículos publicados
Registro creado el 2021-05-28, última modificación el 2024-11-17
visitante ::
identificación
