Exploiting the KPFM capabilities to analyze at the nanoscale the impact of electrical stresses on OTFTs properties
Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Xu, H. (Sun Yat-Sen University)
Liu, C. (Sun Yat-Sen University)
Wu, Q. (Sun Yat-Sen University)

Date:	2021
Abstract:	Two different Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) measurement configurations have been combined to evaluate at the nanoscale the effects of an electrical stress on Organic Thin Film Transistors (OTFTs) properties. As an example, Channel Hot Carrier (CHC) degradation has been induced to provoke some damage in the studied devices. The results show that the use of the two KPFM configurations, together with their nanoscale resolution, provides additional information about the damage in the different regions/materials of the devices, allowing to correlate device level characteristics with the nanoscale material properties.
Grants:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2016-75151-C3-R Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32
Rights:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Subject:	CHC ; Device level ; KPFM ; Nanoscale ; NBTI ; OTFTs ; Electronic, Optical and Magnetic Materials ; Condensed Matter Physics ; Electrical and Electronic Engineering ; Materials Chemistry
Published in:	Solid-state electronics, Vol. 186 (Dec. 2021) , art. 108061, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2021.108061

Postprint 5 p, 661.5 KB

The record appears in these collections:
Articles > Research articles
Articles > Published articles