Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions
Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2021
Resumen:	In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. For instance, transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Injection phenomena can lead to progressive deviations of the circuit performance or even to its catastrophic failure. In this scenario, and to understand the effects of these variability sources, an extensive and accurate device characterization under several test conditions has become an unavoidable step towards trustworthy implementing the stochastic reliability models and simulation tools needed to achieve reliable integrated circuits. In this paper, the statistical distributions of threshold voltage shifts in nanometric CMOS transistors will be studied at nominal and accelerated aging conditions. To this end, a versatile transistor array chip and a flexible measurement setup have been used to reduce the required testing time to attainable values.
Ayudas:	Ministerio de Ciencia e Innovación PID2019-103869RB Ministerio de Ciencia e Innovación BES2017-080160 Ministerio de Economía y Competitividad TEC2016-75151-C3-R
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	CMOS ; BTI ; HCI ; Parameters ; Extraction ; Method ; RTN ; Defects ; Aging
Publicado en:	Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108037, ISSN 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2021.108037

Postprint 5 p, 735.0 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados