Web of Science: 6 citas, Scopus: 6 citas, Google Scholar: citas,
Role of pO2 and film microstructure on the memristive properties of La2NiO4+δ/LaNiO3-δ bilayers
Maas, Klaasjan (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management)
Wulles, Chloé (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Caicedo Roque, Jose Manuel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Ballesteros, Belén (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Lafarge, Valentin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Burriel, Mónica (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management)

Fecha: 2022
Resumen: LaNiO/LaNiO bilayers deposited at varying pO conditions resulted in remarkable differences in film microstructure and cell parameters, directly affecting the electrical behaviour of Pt/LaNiO/LaNiO/Pt devices. The devices deposited at low pO showed the largest memristance. We propose this is due to the formation of a p-type Schottky contact between LaNiO and LaNiO, where the extent of its carrier depletion width can be modulated by the electric-field induced drift of interstitial oxygen ions acting as mobile acceptor dopants in LaNiO.
Ayudas: Agencia Estatal de Investigación PID2019-108573GB-C21
Ministerio de Economía, Industria y Competitividad SEV-2017-0706
Ministerio de Economía, Industria y Competitividad MAT2016-77100-C2-1-P
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2017/SGR-579
Nota: Altres ajuts: ICN2 is funded by the CERCA programme/Generalitat de Catalunya.
Derechos: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Lengua: Anglès
Documento: Article ; recerca ; Versió publicada
Materia: Bi-layer ; Cell parameterS ; Condition ; Electrical behaviors ; Film microstructures ; Memristance ; Microstructure parameters ; P-type ; Property ; Schottky contacts
Publicado en: Journal of materials chemistry. A, Vol. 10, issue 12 (March 2022) , p. 6523-6530, ISSN 2050-7496

DOI: 10.1039/d1ta10296f


9 p, 1.4 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2022-10-07, última modificación el 2025-10-12



   Favorit i Compartir