Does carrier velocity saturation help to enhance f in graphene field-effect transistors? - Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Bonmann, Marlene (Chalmers University of Technology) ; Asad, Muhammad (Chalmers University of Technology) ; Yang, Xinxin (Chalmers University of Technology) ; Generalov, Andrey (Aalto University) ; Vorobiev, Andrei (Chalmers University of Technology) ; Banszerus, Luca (RWTH Aachen University) ; Stampfer, Christoph (RWTH Aachen University) ; Otto, Martin (Advanced Microelectronic Center Aachen) ; Neumaier, Daniel (Advanced Microelectronic Center Aachen) ; Stake, Jan (Chalmers University of Technology) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona)
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Enceteu un debat sobre qualsevol aspecte d'aquest document.

 Subscriure's to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Afegeix un comentari


Un cop identificats, els usuaris autoritzats també hi poden adjuntar fitxers.
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>