Impact of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2023
Descripción:	5 pàg.
Resumen:	In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. The experimental observations show that, in these devices, HCI and OFF-State are the most damaging aging mechanisms while N/PBTI stresses produce negligible degradation. Moreover, for large enough stress conditions, OFF-State aging introduces large leakage currents, largely distorting the ID-VG curves of the transistor.
Ayudas:	Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Aging ; BTI ; FD-SOI ; HCI ; NW-FETs ; OFF-State ; Reliability ; Stress
Publicado en:	Solid-state electronics, Vol. 203 (May 2023) , art. 108625, ISSN 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2023.108625

Disponible a partir de: 2025-05-30 Postprint

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados