Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Modeling and simulation of successive breakdown events in thin gate dielectrics using standard reliability growth models > Ressenyes
 
 
Modeling and simulation of successive breakdown events in thin gate dielectrics using standard reliability growth models - Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Salvador, E. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona)
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Sigueu el primer a escriure una ressenya d'aquest document.

Afegiu la vostra ressenya

Valoreu aquest article:
Doneu un títol a la vostra ressenya:
Escriviu la vostra ressenya:
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
Registres semblants

Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem