Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Modeling and simulation of successive breakdown events in thin gate dielectrics using standard reliability growth models > Comentaris
 
 
Modeling and simulation of successive breakdown events in thin gate dielectrics using standard reliability growth models - Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Salvador, E. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona)
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Enceteu un debat sobre qualsevol aspecte d'aquest document.

 Subscriure's to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Afegeix un comentari


Un cop identificats, els usuaris autoritzats també hi poden adjuntar fitxers.
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>

Registres semblants

Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem