Methodology for the simulation of the variability of MOSFETs with polycrystalline high-k dielectrics using CAFM input data

Informació:
Discussió (0)
Estadístiques d'ús

Methodology for the simulation of the variability of MOSFETs with polycrystalline high-k dielectrics using CAFM input data - Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Comentaris (0) | Ressenyes (0)

Sigueu el primer a escriure una ressenya d'aquest document.

Afegiu la vostra ressenya

Valoreu aquest article:

Doneu un títol a la vostra ressenya:

Escriviu la vostra ressenya:

Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.

Registres semblants