Beneficial role of noise in Hf-based memristors
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Ntinas, Vasileios (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Sirakoulis, Georgios Ch (Democritus University of Thrace. Department of Electrical and Computer Engineering)

Publicación:	Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2022
Descripción:	5 pàg.
Resumen:	The beneficial role of noise in the performance of Hf-based memristors has been experimentally studied. The addition of an external gaussian noise to the bias circuitry positively impacts the memristors characteristics by increasing the OFF/ON resistances ratio. The known stochastic resonance effect has been observed, when changing the standard deviation of the noise. The influence of the additive noise on the memristor current-voltage characteristic and on the set and reset related parameters are also presented.
Ayudas:	Ministerio de Ciencia e Innovación PID2019-103869RB-C3 Agencia Estatal de Investigación TEC2017-90969-EXP
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Capítol de llibre ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Memristors ; Resistive switching ; RRAM devices ; Stochastic resonance
Publicado en:	2022 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2022, p. 975-979, ISBN 9781665484855

DOI: 10.1109/ISCAS48785.2022.9937850

Postprint 6 p, 331.8 KB

El registro aparece en las colecciones:
Libros y colecciones > Capítulos de libros