visitant ::
identificació
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Cerca
Lliura
Ajuda
Personalitza
Les vostres alertes
Els vostres cistells
Les vostres cerques
Servei de Biblioteques
Sobre el DDD
Català
English
Español
Pàgina inicial
>
Articles
>
Articles publicats
>
Control of Ge island coalescence for the formation of nanowires on silicon
>
Comentaris
Informació:
Discussió (0)
Estadístiques d'ús
Control of Ge island coalescence for the formation of nanowires on silicon
-
Ramanandan, Santhanu Panikar
(Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne)
;
Reñé Sapera, Joel
(Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ;
Morelle, Alban
(ETH Zurich) ;
Martí-Sánchez, Sara
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Rudra, Alok
(Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ;
Arbiol i Cobos, Jordi
(Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Dubrovskii, Vladimir G.
(St. Petersburg State University) ;
Fontcuberta i Morral, Anna
(École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Comentaris (0)
|
Ressenyes
(0)
Enceteu un debat sobre qualsevol aspecte d'aquest document.
Subscriure's
to this discussion. You will then receive all new comments by email.
Afegeix un comentari
Un cop identificats, els usuaris autoritzats també hi poden adjuntar fitxers.
Vigileu: encara no heu
definit el vostre àlies
.
N/D
s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>
Envieu-me un email quan es publiqui un nou comentari
Registres semblants