Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Control of Ge island coalescence for the formation of nanowires on silicon > Comentaris
 
 
Control of Ge island coalescence for the formation of nanowires on silicon - Ramanandan, Santhanu Panikar (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Reñé Sapera, Joel (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Morelle, Alban (ETH Zurich) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rudra, Alok (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dubrovskii, Vladimir G. (St. Petersburg State University) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Enceteu un debat sobre qualsevol aspecte d'aquest document.

 Subscriure's to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Afegeix un comentari


Un cop identificats, els usuaris autoritzats també hi poden adjuntar fitxers.
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>

Registres semblants

Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem