Orbital Hall responses in disordered topological materials
Canonico, Luis M (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Fecha:	2024
Resumen:	We report an efficient numerical approach to compute the different components of the orbital Hall responses in disordered topological materials from the Berry phase theory of magnetization. The theoretical framework is based on the Chebyshev expansion of Green's functions and the off-diagonal elements of the position operator for systems under arbitrary boundary conditions. The capability of this scheme is shown by computing the orbital Hall conductivity for gapped graphene and for the Haldane model in the presence of nonperturbative disorder effects. This methodology enables realistic simulations of orbital Hall responses in highly complex models of disordered materials.
Ayudas:	European Commission 881603 Agencia Estatal de Investigación FJC2021-047300-I Agencia Estatal de Investigación PCI2021-122035-2A Agencia Estatal de Investigación CEX2021-001214-S Agencia Estatal de Investigación PID2019-106684GB-I00 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00997
Nota:	Altres ajuts: ICN2 is funded by the CERCA Programme/Generalitat de Catalunya.
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Berry's phase ; Chebyshev expansion ; Greens function ; Hall response ; Numerical approaches ; Off-diagonal elements ; Orbitals ; Phase theory ; Theoretical framework ; Topological materials
Publicado en:	Physical review B, Vol. 110, issue 14 (October 2024) , art. L140201, ISSN 2469-9969

DOI: 10.1103/PhysRevB.110.L140201

Postprint 16 p, 2.8 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados