|
|
|||||||||||||||
|
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español | |||||||||
| Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Orbital Hall responses in disordered topological materials |
| Data: | 2024 |
| Resum: | We report an efficient numerical approach to compute the different components of the orbital Hall responses in disordered topological materials from the Berry phase theory of magnetization. The theoretical framework is based on the Chebyshev expansion of Green's functions and the off-diagonal elements of the position operator for systems under arbitrary boundary conditions. The capability of this scheme is shown by computing the orbital Hall conductivity for gapped graphene and for the Haldane model in the presence of nonperturbative disorder effects. This methodology enables realistic simulations of orbital Hall responses in highly complex models of disordered materials. |
| Ajuts: | European Commission 881603 Agencia Estatal de Investigación FJC2021-047300-I Agencia Estatal de Investigación PCI2021-122035-2A Agencia Estatal de Investigación CEX2021-001214-S Agencia Estatal de Investigación PID2019-106684GB-I00 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00997 |
| Nota: | Altres ajuts: ICN2 is funded by the CERCA Programme/Generalitat de Catalunya. |
| Drets: | Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets. |
| Llengua: | Anglès |
| Document: | Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
| Matèria: | Berry's phase ; Chebyshev expansion ; Greens function ; Hall response ; Numerical approaches ; Off-diagonal elements ; Orbitals ; Phase theory ; Theoretical framework ; Topological materials |
| Publicat a: | Physical review B, Vol. 110, issue 14 (October 2024) , art. L140201, ISSN 2469-9969 |
Postprint 16 p, 2.8 MB |