|
|
|||||||||||||||
|
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español | |||||||||
| Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Exploiting Ambipolarity in Graphene Field-Effect Transistors for Novel Designs on High-Frequency Analog Electronics |
| Data: | 2023 |
| Resum: | Exploiting ambipolar electrical conductivity based on graphene field-effect transistors has raised enormous interest for high-frequency (HF) analog electronics. Controlling the device polarity, by biasing the graphene transistor around the vertex of the V-shaped transfer curve, enables to redesign and highly simplify conventional analog circuits, and simultaneously to seek for multifunctionalities, especially in the HF domain. This study presents new insights for the design of different HF applications such as power amplifiers, mixers, frequency multipliers, phase shifters, and modulators that specifically leverage the inherent ambipolarity of graphene-based transistors. |
| Ajuts: | Agencia Estatal de Investigación PID2020-116518GB-I00 Agencia Estatal de Investigación PID2021-127840NB-I00 European Commission 881603 Agencia Estatal de Investigación PTA2020-018250-I Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades FPU21/04904 Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades FJC2020-046213-I |
| Drets: | Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. |
| Llengua: | Anglès |
| Document: | Article de revisió ; recerca ; Versió publicada |
| Matèria: | Ambipolarity ; Graphene ; High-frequency ; Mixers ; Modulators ; Multipliers ; Phase shifters |
| Publicat a: | Small (Weinheim), Vol. 19, Issue 49 (December 2023) , art. 2303595, ISSN 1613-6829 |
15 p, 3.0 MB |