Pàgina inicial > Documents de recerca > Tesis doctorals > Planar edge terminations and related manufacturing process technology for high power 4H-SiC diodes > Comentaris
 
 
Planar edge terminations and related manufacturing process technology for high power 4H-SiC diodes - Pérez Rodríguez, Raúl ; Mestres i Andreu, Narcís, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Godignon, Philippe, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya))
 
Comentaris (0) | Ressenyes (0)
Enceteu un debat sobre qualsevol aspecte d'aquest document.

 Subscriure's to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Afegeix un comentari


Un cop identificats, els usuaris autoritzats també hi poden adjuntar fitxers.
Vigileu: encara no heu definit el vostre àlies.
N/D s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>

Registres semblants

Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem