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46 p, 10.4 MB On the Thermal Models for Resistive Random Access Memory Circuit Simulation / Roldán, Juan B. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; González-Cordero, Gerardo (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Picos, Rodrigo (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palumbo, Félix (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Jiménez-Molinos, Francisco (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Moreno Pérez, Enrique (Université Jean Monnet) ; Maldonado, David (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Baldomá, Santiago B. (Universidad Tecnológica Nacional. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías) ; Moner Al Chawa, Mohamad (Technische Universität Dresden. Institute of Circuits and Systems) ; de Benito, Carol (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ; Stavrinides, Stavros G. (International Hellenic University) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Chua, Leon O. (University of California. Electrical Engineering and Computer Science Department)
Resistive Random Access Memories (RRAMs) are based on resistive switching (RS) operation and exhibit a set of technological features that make them ideal candidates for applications related to non-volatile memories, neuromorphic computing and hardware cryptography. [...]
2021 - 10.3390/nano11051261
Nanomaterials, Vol. 11, Issue 5 (May 2021) , art. 1261  

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