Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Jiménez-Molinos, Francisco
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 2 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
36 p, 4.9 MB Neural network based analysis of random telegraph noise in resistive random access memories / González-Cordero, Gerardo (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Morell Pérez, Antoni (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Jiménez-Molinos, Francisco (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Roldán, Juan B. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores)
The characterization of random telegraph noise (RTN) signals in resistive random access memories (RRAM) is a challenge. The inherent stochastic operation of these devices, much different to what is seen in other electron devices such as MOSFETs, diodes, etc, makes this issue more complicated from the mathematical viewpoint. [...]
2020 - 10.1088/1361-6641/ab6103
Semiconductor science and technology, Vol. 35, issue 2 (Feb. 20200) , art. 025021  
Registre complet - Creative Commons
2.
46 p, 10.4 MB On the Thermal Models for Resistive Random Access Memory Circuit Simulation / Roldán, Juan B. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; González-Cordero, Gerardo (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Picos, Rodrigo (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palumbo, Félix (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Jiménez-Molinos, Francisco (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Moreno Pérez, Enrique (Université Jean Monnet) ; Maldonado, David (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Baldomá, Santiago B. (Universidad Tecnológica Nacional. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías) ; Moner Al Chawa, Mohamad (Technische Universität Dresden. Institute of Circuits and Systems) ; de Benito, Carol (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ; Stavrinides, Stavros G. (International Hellenic University) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Chua, Leon O. (University of California. Electrical Engineering and Computer Science Department)
Resistive Random Access Memories (RRAMs) are based on resistive switching (RS) operation and exhibit a set of technological features that make them ideal candidates for applications related to non-volatile memories, neuromorphic computing and hardware cryptography. [...]
2021 - 10.3390/nano11051261
Nanomaterials, Vol. 11, Issue 5 (May 2021) , art. 1261  
Registre complet - Creative Commons

Vegeu també: autors amb noms similars
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem