Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS
Vileta Incausa, José Carlos
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Data:	2011
Descripció:	89 p.
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Llengua:	Castellà
Col·lecció:	Escola d'Enginyeria. Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica
Document:	Treball final de grau
Matèria:	Metall òxid semiconductors complementaris ; Fiabilitat

Projecte 89 p, 1.1 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Treballs de recerca i projectes de final de carrera > Enginyeria. TFM