Progressive breakdown dynamics and entropy production in ultrathin SiO2 gate oxides
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
American Physical Society

Fecha:	2011
Resumen:	The progressive breakdown of ultrathin (≈2nm) SiO2 gate oxides subjected to constant electrical stress is investigated using a simple equivalent circuit model. It is shown how the interplay among series, parallel, and filamentary conductances that represent the breakdown path and its surroundings leads under certain hypothesis to a sigmoidal current-time characteristic compatible with the experimental observations. The dynamical properties of the breakdown trajectories are analyzed in terms of the logistic potential function, the Lyapunov exponent, and the system's attractor. It is also shown that the current evolution is compatible with Prigogine's minimum entropy production principle.
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Entropy ; Attractors ; Mesoscopic systems ; Electrical breakdown ; Electrical properties ; Conductors ; Electric currents
Publicado en:	Applied physics letters, Vol. 98, Issue 25 (June 2011) , p. 253504/1-253504/3, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.3602318

4 p, 302.1 KB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados