Nanometer-scale electrical characterization of stressed ultrathin SiO2 films using conducting atomic force microscopy
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Olbrich, A. (Infineon Technologies AG (Munic, Alemanya))
Ebersberger, B. (Infineon Technologies AG (Munic, Alemanya))
American Physical Society

Fecha:	2001
Resumen:	A conductive atomic force microscope has been used to electrically stress and to investigate the effects of degradation in the conduction properties of ultrathin (<6 nm) SiO2 films on a nanometer scale (areas of ≈100 nm2). Before oxide breakdown, switching between two states of well-defined conductivity and sudden changes of conductivity were observed, which are attributed to the capture/release of single charges in the defects generated during stress.
Derechos:	Tots els drets reservats.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Atomic force microscopes ; Atomic force microscopy ; Electrical properties ; Thin films
Publicado en:	Applied physics letters, Vol. 78, Issue 26 (May 2001) , p. 4181-4183, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.1382624

4 p, 388.4 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados