Nondestructive multlple breakdown events in very thin SI02 films
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Farrés i Berenguer, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Placencia Millan, Iolanda (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín, Ferran (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
American Physical Society

Fecha:	1989
Resumen:	Several breakdown events and multilevel current fluctuations have been observed when ultrathin SiO2 films are subjected to constant-voltage stresses. These breakdown events are sometimes reversible, and consist in a local change of conduction mechanism. This reversibility shows that no catastrophic thermal effects occur, and that the breakdown is only a local switching between two oxide conduction states of very different conductivities.
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Thermal conduction ; Thermal conductivity ; Thermal effects
Publicado en:	Applied physics letters, Vol. 55, Issue 2 (July 1989) , p. 128-130, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.102396

4 p, 503.9 KB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados