Web of Science: 12 citas, Scopus: 13 citas, Google Scholar: citas
Analysis of set and reset mechanisms in Ni/HfO2-based RRAM with fast ramped voltages
Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Diaz, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Gonzalez, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha: 2015
Resumen: The resistive switching phenomenon is analyzed using a purposely developed setup which allows fast ramped voltages and measurements in the time domain. Taking advantage of these capabilities, the Set and Reset processes in Ni/HfO2 structures have been studied for a large range of voltage ramp speeds. The results obtained show that Set and Reset voltages increase with voltage ramp speed. The use of time domain measurements has allowed concluding that a critical energy is needed to trigger the Set and Reset processes, independently of the biasing conditions.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció ERDF/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384
Derechos: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; acceptedVersion
Materia: Resistive switching random access memory (RRAM) ; Metal–insulator–semiconductor (MIS) ; Fast ramped voltages ; Time domain measurements
Publicado en: Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.057


Post-print
4 p, 1.1 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2015-07-16, última modificación el 2019-10-01



   Favorit i Compartir