Web of Science: 1 citas, Scopus: 1 citas, Google Scholar: citas
Conductive-AFM topography and current maps simulator for the study of polycrystalline high-k dielectrics
Couso, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha: 2015
Resumen: In this work, a simulator of conductive atomic force microscopy (C-AFM) was developed to reproduce topography and current maps. In order to test the results, the authors used the simulator to investigate the influence of the C-AFM tip on topography measurements of polycrystalline high-k dielectrics, and compared the results with experimental data. The results show that this tool can produce topography images with the same morphological characteristics as the experimental samples under study. Additionally, the current at each location of the dielectric stack was calculated. The quantum mechanical transmission coefficient and tunneling current were obtained from the band diagram by applying the Airy wavefunction approach. Good agreement between experimental and simulation results indicates that the tool can be very useful for evaluating how the experimental parameters influence C-AFM measurements.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció ERDF/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384
Derechos: Tots els drets reservats.
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; submittedVersion
Materia: Topography ; Polycrystals ; Dielectric thin films ; Electrical properties ; Atomic force microscopy
Publicado en: Journal of Vaccuum Science and Technology B, Vol. 33 No. 3 (May-June 2015) , p031801/1-031801/6

DOI: 10.1116/1.4915328


Pre-print
17 p, 2.7 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2015-07-24, última modificación el 2019-09-30



   Favorit i Compartir