Web of Science: 0 citas, Scopus: 0 citas, Google Scholar: citas
Resistive switching like-behavior in MOSFETs with ultra-thin HfSiON dielectric gate stack : pMOS and nMOS comparison and reliability implications
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha: 2013
Resumen: In this work, the Resistive Switching (RS) phenomenon in n and pMOSFETs with ultrathin Hf based high-k dielectric is studied. Two different conductive levels, a high (HRS) and a low (LRS) resistance states can be distinguished in the dielectric. The influence of the voltage polarities applied to reach the HRS and the LRS on the RS phenomenology is analyzed. The drain current-drain voltage and drain current-gate voltage transistor characteristics during the HRS have also been analyzed in those cases where the RS has been observed. The results can be useful to understand the effect of the RS on the MOSFETs performance from a reliability point of view.
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2010-16126
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2010-10021-E
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2009/SGR-783
Derechos: Tots els drets reservats
Lengua: Anglès
Documento: article ; recerca ; acceptedVersion
Materia: Resistive Switching ; RS ; Dielectrics ; Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ; MOSFET
Publicado en: Microelectronics reliability, Vol. 53, No. 9-11 (Sep.-Nov. 2013) , p. 1247-1251, ISSN 0026-2714

DOI: 10.1016/j.microrel.2013.07.046


Post-print
6 p, 228.6 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2015-07-30, última modificación el 2020-08-16



   Favorit i Compartir