Web of Science: 3 citas, Scopus: 4 citas, Google Scholar: citas
Negative bias temperature instabilities induced in device with millisecond anneal for ultra-shallow junctions
Moras Albero, Miquel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Simoen, E. (IMEC. Belgium.)

Fecha: 2014
Resumen: In this paper the NBTI degradation has been studied in pMOS transistors with ultra-thin high-k dielectric subjected to a millisecond anneal for ultra-shallow junction implantation using different laser powers. An ultrafast characterization technique has been developed with the aim of acquiring the threshold voltage (Vth) shift in relaxation times as short as possible once the electrical stress is removed. It has been observed that increasing the millisecond anneal temperature reduce the NBTI degradation. These results have been explained in the context of the emission and capture probability maps of the defects.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2010-16126
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/BES-2011-047449
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2009/SGR-783
Derechos: Tots els drets reservats
Lengua: Anglès
Documento: article ; recerca ; acceptedVersion
Materia: MOSFET ; BTI ; Annealing ; Time-dependent variability ; Emission and capture times ; Defect passivation
Publicado en: Solid-state electronics, Vol. 101 (Nov. 2014) , p. 131-136, ISSN 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2014.06.036


Post-print
11 p, 617.3 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2015-08-03, última modificación el 2020-08-16



   Favorit i Compartir