Negative bias temperature instabilities induced in device with millisecond anneal for ultra-shallow junctions
Moras Albero, Miquel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Simoen, E. (IMEC. Belgium.)

Fecha:	2014
Resumen:	In this paper the NBTI degradation has been studied in pMOS transistors with ultra-thin high-k dielectric subjected to a millisecond anneal for ultra-shallow junction implantation using different laser powers. An ultrafast characterization technique has been developed with the aim of acquiring the threshold voltage (Vth) shift in relaxation times as short as possible once the electrical stress is removed. It has been observed that increasing the millisecond anneal temperature reduce the NBTI degradation. These results have been explained in the context of the emission and capture probability maps of the defects.
Ayudas:	Ministerio de Ciencia e Innovación TEC2010-16126 Ministerio de Ciencia e Innovación BES-2011-047449 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-783
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Documento:	Article
Materia:	MOSFET ; BTI ; Annealing ; Time-dependent variability ; Emission and capture times ; Defect passivation
Publicado en:	Solid-state electronics, Vol. 101 (Nov. 2014), p. 131-136, ISSN 1879-2405

Post-print 11 p, 617.3 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados