Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks - Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
 
Comentarios (0) | Reseñas (0)
Sea el primero a escribir una reseña de este documento.

Añada su reseña

Valore este artículo:
Dé un título a su reseña:
Escriba su reseña:
Atención: todavía no ha definido su alias.
N/D, será el que se muestre como autor de este comentario