Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks - Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
 
Comments (0) | Reviews (0)
Be the first to review this document.

Add review

Rate this article:
Give a title to your review:
Write your review:
Note: you have not defined your nickname.
N/D will be displayed as the author of this comment.