Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks
Crespo-Yepes, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin-Martinez, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center)
Rodriguez, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafria, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Date:	2010
Abstract:	The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. The simulation of several digital circuits shows that their functionality can be restored after the BD recovery.
Grants:	Ministerio de Educación y Ciencia TEC2007-61294 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-783
Rights:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Language:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Subject:	Dielectric breakdown ; Dielectric breakdown reversibility ; High-k ; Resistive switching ; CMOS circuits
Published in:	IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545, ISSN 1558-0563

DOI: 10.1109/LED.2010.2045732

Post-print 3 p, 1.0 MB

The record appears in these collections:
Research literature > UAB research groups literature > Research Centres and Groups (research output) > Engineering > The Reliability of Electron Devices and Circuits group (REDEC)
Articles > Research articles
Articles > Published articles