visitant ::
identificació
|
|||||||||||||||
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español |
Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks |
Data: | 2010 |
Resum: | The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. The simulation of several digital circuits shows that their functionality can be restored after the BD recovery. |
Ajuts: | Ministerio de Ciencia e Innovación TEC2007-61294 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-783 |
Drets: | Tots els drets reservats. |
Llengua: | Anglès |
Document: | Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Matèria: | Dielectric breakdown ; Dielectric breakdown reversibility ; High-k ; Resistive switching ; CMOS circuits |
Publicat a: | IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545, ISSN 0741-3106 |
Post-print 3 p, 1.0 MB |