Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks
Crespo-Yepes, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin-Martinez, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center)
Rodriguez, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafria, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2010
Resumen:	The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. The simulation of several digital circuits shows that their functionality can be restored after the BD recovery.
Ayudas:	Ministerio de Educación y Ciencia TEC2007-61294 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-783
Derechos:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Dielectric breakdown ; Dielectric breakdown reversibility ; High-k ; Resistive switching ; CMOS circuits
Publicado en:	IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545, ISSN 1558-0563

DOI: 10.1109/LED.2010.2045732

Post-print 3 p, 1.0 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados