Web of Science: 15 citas, Scopus: 18 citas, Google Scholar: citas
Reversible dielectric breakdown in ultra Hf based high-k stacks under current limited stresses
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha: 2009
Resumen: The effects of a current-limited breakdown (BD) on the post-BD current of MOS capacitors with a thin high-k dielectric stack have been analysed. A strong current reduction after BD and, consequently, a partial recovery of the insulating properties of the dielectric stack is observed. The similarities with the Resistive Switching phenomenon observed in MIM structures for memory applications are discussed.
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2007-61294
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2005/SGR-1224
Derechos: Tots els drets reservats
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; submittedVersion
Materia: Dielectric breakdown ; Resistive switching ; High-k reliability ; CMOS process
Publicado en: Microelectronics reliability, Vol. 49, Issue 9-11 (2009) , p. 1024-1028, ISSN 0026-2714

DOI: 10.1016/j.microrel.2009.06.029


Pre-print
11 p, 963.5 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2015-09-28, última modificación el 2019-02-03



   Favorit i Compartir