Large-signal model of graphene field-effect transistors. Part II : circuit performance benchmarking
Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2016
Resum:	This paper presents a circuit performance benchmarking using the large-signal model of graphene field effect transistor reported in Part I of this two-part paper. To test the model, it has been implemented in a circuit simulator. Specifically we have simulated a high-frequency performance amplifier, together with other circuits that take advantage of the ambipolarity of graphene, such as a frequency doubler, a radio-frequency subharmonic mixer and a multiplier phase detector. A variety of simulations comprising DC, transient dynamics, Bode diagram, S-parameters, and power spectrum have been compared with experimental data to assess the validity of the model.
Ajuts:	European Commission 696656 Ministerio de Economía y Competitividad TEC2012-31330 Ministerio de Economía y Competitividad TEC2015-67462-C2-1-R
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	Ambipolar electronics ; Compact model ; Field-effect transistor ; Graphene ; Intrinsic capacitance ; Circuit performance benchmarking ; Verilog-A
Publicat a:	IEEE transactions on electron devices, Vol. 63, Issue 7 (July 2016) , p. 2942 - 2947, ISSN 1557-9646

DOI: 10.1109/TED.2016.2563464

Post-print 7 p, 921.0 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats