Google Scholar: cites
Mapping brain activity with flexible graphene micro-transistors
Blaschke, Benno M. (Technische Universität München. Physik Department)
Tort-Colet, Núria (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer (IDIBAPS))
Guimerà Brunet, Anton (Instituto de Microelectronica de Barcelona)
Weinert, Julia (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer (IDIBAPS))
Rousseau, Lionel (Université Paris-Est. Laboratoire d'Electronique, Systèmes de Communication et Microsystèmes)
Heimann, Axel (Johannes Gutenberg-Universität Mainz)
Drieschner, Simon (Technische Universität München. Physik Department)
Kempski, Oliver (Johannes Gutenberg-Universität Mainz)
Villa, Rosa (Instituto de Microelectronica de Barcelona)
Sánchez-Vives, María V. (Institut d'Investigacions Biomèdiques August Pi i Sunyer (IDIBAPS))
Garrido Ariza, José A. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Data: 2017
Resum: Establishing a reliable communication interface between the brain and electronic devices is of paramount importance for exploiting the full potential of neural prostheses. Current microelectrode technologies for recording electrical activity, however, evidence important shortcomings, e. g. challenging high density integration. Solution-gated field-effect transistors (SGFETs), on the other hand, could overcome these shortcomings if a suitable transistor material were available. Graphene is particularly attractive due to its biocompatibility, chemical stability, flexibility, low intrinsic electronic noise and high charge carrier mobilities. Here, we report on the use of an array of flexible graphene SGFETs for recording spontaneous slow waves, as well as visually evoked and also pre-epileptic activity in vivo in rats. The flexible array of graphene SGFETs allows mapping brain electrical activity with excellent signal-to-noise ratio (SNR), suggesting that this technology could lay the foundation for a future generation of in vivo recording implants.
Nota: Número d'acord de subvenció EC/H2020/696656
Nota: Número d'acord de subvenció EC/FP7/600806
Nota: Número d'acord de subvenció EC/FP7/280433
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2013-0295
Drets: Tots els drets reservats
Llengua: Anglès.
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: Bioelectronics ; Field-effect transistors ; Graphene ; Neural implants ; Sensors
Publicat a: 2D materials, Vol. 4, no. 2 (June 2017) , art. 025040, ISSN 20531583

DOI: 10.1088/2053-1583/aa5eff


Post-print
16 p, 4.4 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2018-04-30, darrera modificació el 2019-10-04



   Favorit i Compartir