Position-controlled growth of GaN nanowires and nanotubes on diamond by molecular beam epitaxy
Schuster, Fabian (Walter Schottky Institut, Physics Department, Technische Universität München)
Hetzl, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institute)
Weiszer, Saskia (Technische Universität München. Walter Schottky Institute)
Garrido, Jose (Technische Universität München. Walter Schottky Institute)
De La Mata, Maria (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Magen Dominguez, Cesar (Universidad de Zaragoza. Instituto de Nanociencia y Materiales de Aragón)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Stutzmann, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institute)
ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró

Data:	2015
Resum:	In this work the position-controlled growth of GaN nanowires (NWs) on diamond by means of molecular beam epitaxy is investigated. In terms of growth, diamond can be seen as a model substrate, providing information of systematic relevance also for other substrates. Thin Ti masks are structured by electron beam lithography which allows the fabrication of perfectly homogeneous GaN NW arrays with different diameters and distances. While the wurtzite NWs are found to be Ga-polar, N-polar nucleation leads to the formation of tripod structures with a zinc-blende core which can be efficiently suppressed above a substrate temperature of 870 °C. A variation of the III/V flux ratio reveals that both axial and radial growth rates are N-limited despite the globally N-rich growth conditions, which is explained by the different diffusion behavior of Ga and N atoms. Furthermore, it is shown that the hole arrangement has no effect on the selectivity but can be used to force a transition from nanowire to nanotube growth by employing a highly competitive growth regime.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad MAT2014-51480-ERC Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-1638
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	GaN ; Molecular beam epitaxy ; Nanowires ; Polarity ; Proximity effects ; Selective area growth
Publicat a:	Nano letters, Vol. 15, issue 3 (Nov. 2015) , p. 1773-1779, ISSN 1530-6992

DOI: 10.1021/nl504446r

Postprint 8 p, 9.3 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > El Sincrotró ALBA
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats