Google Scholar: cites
Surface hydrogen enables subeutectic vapor-liquid-solid semiconductor nanowire growth
Sivaram, Saujen V. (Georgia Institute of Technology. School of Chemical and Biomolecular Engineering)
Hui, Ho Yee (Georgia Institute of Technology. School of Chemical and Biomolecular Engineering)
De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Filler, Michael A. (Georgia Institute of Technology. School of Chemical and Biomolecular Engineering)

Data: 2016
Resum: Vapor-liquid-solid nanowire growth below the bulk metal-semiconductor eutectic temperature is known for several systems; however, the fundamental processes that govern this behavior are poorly understood. Here, we show that hydrogen atoms adsorbed on the Ge nanowire sidewall enable AuGe catalyst supercooling and control Au transport. Our approach combines in situ infrared spectroscopy to directly and quantitatively determine hydrogen atom coverage with a "regrowth" step that allows catalyst phase to be determined with ex situ electron microscopy. Maintenance of a supercooled catalyst with only hydrogen radical delivery confirms the centrality of sidewall chemistry. This work underscores the importance of the nanowire sidewall and its chemistry on catalyst state, identifies new methods to regulate catalyst composition, and provides synthetic strategies for subeutectic growth in other nanowire systems.
Ajuts: Ministerio de Economía y Competitividad MAT2014-51480
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-1638
Drets: Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua: Anglès
Document: Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria: Germanium ; Hydrogen ; Semiconductor nanowire ; Vapor-liquid-solid mechanism
Publicat a: Nano letters, Vol. 16, issue 11 (Sep. 2016) , p. 6717-6723, ISSN 1530-6992

DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01640


Postprint
8 p, 2.8 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2019-01-14, darrera modificació el 2024-11-23



   Favorit i Compartir