Web of Science: 3 cites, Scopus: 3 cites, Google Scholar: cites
Tunneling anisotropic magnetoresistance in La2/3Sr1/3MnO3/LaAlO3/Pt tunnel junctions
Galceran Vercher, Regina (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Balcells Argemí, Lluís (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Pomar, Alberto (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Konstantinović, Zorica (University of Belgrade. Center for Solid State Physics and New Materials)
Bagués Salgueró, Núria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Sandiumenge Ortiz, Felip (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Martínez, Benjamín (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)

Data: 2016
Resum: The magnetotransport properties of La2/3 Sr1/3 MnO3 (LSMO)/ LaAlO3 (LAO)/Pt tunneling junctions have been analyzed as a function of temperature and magnetic field. The junctions exhibit magnetoresistance (MR) values of about 37%, at H=90 kOe at low temperature. However, the temperature dependence of MR indicates a clear distinct origin than that of conventional colossal MR. In addition, tunneling anisotropic MR (TAMR) values around 4% are found at low temperature and its angular dependence reflects the expected uniaxial anisotropy. The use of TAMR response could be an alternative of much easier technological implementation than conventional MTJs since only one magnetic electrode is required, thus opening the door to the implementation of more versatile devices. However, further studies are required in order to improve the strong temperature dependence at the present stage.
Ajuts: MINECO/SEV-2015-0496
MINECO/MAT2015-71664-R
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Llengua: Anglès
Document: Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria: Angular dependence ; Low temperatures ; Magnetic electrodes ; Magneto transport properties ; Temperature dependence ; Tunneling anisotropic magnetoresistances ; Tunneling junctions ; Uniaxial anisotropy
Publicat a: AIP advances, Vol. 6, Issue 4 (April 2016) , art. 045305, ISSN 2158-3226

DOI: 10.1063/1.4946851


8 p, 2.2 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2019-06-03, darrera modificació el 2021-08-01



   Favorit i Compartir