Web of Science: 8 citas, Scopus: 12 citas, Google Scholar: citas,
A solar transistor and photoferroelectric memory
Pérez Tomàs, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Lima, F. Anderson S. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Billon, Quentin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Shirley, Ian (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Lira Cantú, Mónica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Fecha: 2018
Resumen: This study presents a new self-powered electronic transistor concept "the solar transistor. " The transistor effect is enabled by the functional integration of a ferroelectric-oxide thin film and an organic bulk heterojunction. The organic heterojunction efficiently harvests photon energy and splits photogenerated excitons into free electron and holes, and the ferroelectric film acts as a switchable electron transport layer with tuneable conduction band offsets that depend on its polarization state. This results in the device photoconductivity modulation. All this (i. e. , carrier extraction and poling) is achieved with only two sandwiched electrodes and therefore, with the role of the gating electrode being taken by light. The two-terminal solar-powered phototransistor (or solaristor) thus has the added advantages of a compact photodiode architecture in addition to the nonvolatile functionality of a ferroelectric memory that is written by voltage and nondestructively read by light.
Nota: Número d'acord de subvenció EC/FP7/308023
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/ENE2016-79282-C5-2-R
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/CTQ2016-81911-REDT
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/ENE2015-74275-JIN
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2013-0295
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-1212
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-1216-F
Derechos: Tots els drets reservats.
Lengua: Anglès
Documento: article ; recerca ; submittedVersion
Materia: Electron transport layers ; Ferroelectric photovoltaics ; Nonvolatile memory ; Organic bulk heterojunctions ; Phototransistors
Publicado en: Advanced functional materials, Vol. 28, issue 17 (April, 2018) , art. 1707099, ISSN 1616-3028

DOI: 10.1002/adfm.201707099


Preprint
22 p, 452.7 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ciencias > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2019-11-19, última modificación el 2020-08-02



   Favorit i Compartir