Web of Science: 6 cites, Scopus: 10 cites, Google Scholar: cites,
A solar transistor and photoferroelectric memory
Pérez Tomàs, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Lima, F. Anderson S. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Billon, Quentin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Shirley, Ian (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Lira Cantú, Mónica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Data: 2018
Resum: This study presents a new self-powered electronic transistor concept "the solar transistor. " The transistor effect is enabled by the functional integration of a ferroelectric-oxide thin film and an organic bulk heterojunction. The organic heterojunction efficiently harvests photon energy and splits photogenerated excitons into free electron and holes, and the ferroelectric film acts as a switchable electron transport layer with tuneable conduction band offsets that depend on its polarization state. This results in the device photoconductivity modulation. All this (i. e. , carrier extraction and poling) is achieved with only two sandwiched electrodes and therefore, with the role of the gating electrode being taken by light. The two-terminal solar-powered phototransistor (or solaristor) thus has the added advantages of a compact photodiode architecture in addition to the nonvolatile functionality of a ferroelectric memory that is written by voltage and nondestructively read by light.
Nota: Número d'acord de subvenció EC/FP7/308023
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/ENE2016-79282-C5-2-R
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/CTQ2016‐81911‐REDT
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/ENE2015-74275-JIN
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/SEV-2013-0295
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-1212
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-1216‐F
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Llengua: Anglès.
Document: article ; recerca ; submittedVersion
Matèria: Electron transport layers ; Ferroelectric photovoltaics ; Nonvolatile memory ; Organic bulk heterojunctions ; Phototransistors
Publicat a: Advanced functional materials, Vol. 28, issue 17 (April, 2018) , art. 1707099, ISSN 1616-3028

DOI: 10.1002/adfm.201707099


Preprint
22 p, 452.7 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2019-11-19, darrera modificació el 2019-12-23



   Favorit i Compartir