![]() |
|||||||||||||||
![]() |
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español |
Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > A new method for estimating the conductive filament temperature in OxRAM devices based on escape rate theory |
Data: | 2018 |
Resum: | Because of the atomic nature of the system under study, an estimation of the temperature of the conductive filament (CF) in OxRAM devices as a function of the applied bias can only be obtained by means of indirect methods, usually electrothermal simulations. In this paper, a heuristic approach that combines time-dependent dielectric breakdown (TDDB) statistics for the electroformed device with field and temperature-assisted ionic transport within the framework of escape rate theory is presented. Extended expressions for the time-to-failure acceleration law (E-model) and for the Kramers' rate compatible both with the standard models at moderate/high biases and with the principle of detailed balance at equilibrium are proposed. An approximate expression for the CF temperature is reported. For the investigated stress voltage range (0. 30 V-0. 65 V), the estimated CF temperature at the SET condition is found to be in the range 350 K-600 K. |
Ajuts: | European Commission 783176 Ministerio de Economía y Competitividad TEC2017-84321-C4-4-R |
Drets: | Tots els drets reservats. |
Drets: | Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. |
Llengua: | Anglès |
Document: | Article ; recerca ; Versió publicada |
Publicat a: | Microelectronics reliability, Vol. 88-90 (September 2018) , p. 142-146, ISSN 0026-2714 |
Tots els drets reservats. Preprint 22 p, 713.4 KB |
Llicència CC BY-NC-ND. Postprint 22 p, 475.0 KB |