III-V Integration on Si(100) : Vertical Nanospades
Güniat, Lucas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Garcia, Oscar (Universitat Politècnica de Catalunya)
Boscardin, Mégane (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Vindice, David (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Tappy, Nicolas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Kim, Wonjong (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Balgarkashi, Akshay (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Leran, Jean-Baptiste (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)

Data:	2019
Resum:	III-V integration on Si(100) is a challenge: controlled vertical vapor liquid solid nanowire growth on this platform has not been reported so far. Here we demonstrate an atypical GaAs vertical nanostructure on Si(100), coined nanospade, obtained by a nonconventional droplet catalyst pinning. The Ga droplet is positioned at the tip of an ultrathin Si pillar with a radial oxide envelope. The pinning at the Si/oxide interface allows the engineering of the contact angle beyond the Young-Dupré equation and the growth of vertical nanospades. Nanospades exhibit a virtually defect-free bicrystalline nature. Our growth model explains how a pentagonal twinning event at the initial stages of growth provokes the formation of the nanospade. The optical properties of the nanospades are consistent with the high crystal purity, making these structures viable for use in integration of optoelectronics on the Si(100) platform.
Ajuts:	Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2017/SGR-327 Ministerio de Economía y Competitividad ENE2017-85087-C3-3-R Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2017-0706
Nota:	This is an open access article published under an ACS AuthorChoice License. See Standard ACS AuthorChoice/Editors' Choice Usage Agreement - https://pubs.acs.org/page/policy/authorchoice_termsofuse.html
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Nanospades ; GaAs nanowires ; Vertical growth
Publicat a:	ACS nano, Vol. 13, Issue 5 (May 2019) , p. 5833-5840, ISSN 1936-086X

DOI: 10.1021/acsnano.9b01546
PMID: 31038924

8 p, 4.8 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats