visitant ::
identificació
Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Cerca
Lliura
Ajuda
Personalitza
Les vostres alertes
Els vostres cistells
Les vostres cerques
Servei de Biblioteques
Sobre el DDD
Català
English
Español
Pàgina inicial
>
Articles
>
Articles publicats
>
Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions
>
Ressenyes
Informació:
Discussió (0)
Estadístiques d'ús
Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions
-
Diaz-Fortuny, Javier
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
;
Saraza-Canflanca, Pablo
(Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Rodríguez Martínez, Rosana
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Castro-Lopez, Rafael
(Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Roca, Elisenda
(Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Fernandez, Francisco V.
(Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Comentaris
(0) |
Ressenyes (0)
Sigueu el primer a escriure una ressenya d'aquest document.
Afegiu la vostra ressenya
Valoreu aquest article:
-Seleccioneu una puntuació-
***** (best)
****
***
**
* (worst)
Doneu un títol a la vostra ressenya:
Escriviu la vostra ressenya:
Vigileu: encara no heu
definit el vostre àlies
.
N/D
s'usarà temporalment com a autor d'aquest comentari.
Registres semblants