Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo-Yepes, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin-Martinez, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodriguez, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafria, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2022
Descripción:	4 pàg.
Resumen:	In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. The experimental observations show that HCI and OFF-State are the most damaging aging mechanisms in these devices while N/PBTI produce negligible degradation. Moreover, for large enough stress conditions, OFF-State aging largely distorts the ID-VG curves of the transistor, leading to an almost linear dependence on VG.
Ayudas:	Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Aging ; BTI ; FD-SOI ; HCI OFF-State ; NW-FETs ; Reliability ; Stress
Publicado en:	Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2022.108324

Postprint 5 p, 414.2 KB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados