Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
Valdivieso, Carlos ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana ![ORCID Identifier](/img/uab/orcid.ico)
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Date: |
2022 |
Description: |
4 pàg. |
Abstract: |
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. The experimental observations show that HCI and OFF-State are the most damaging aging mechanisms in these devices while N/PBTI produce negligible degradation. Moreover, for large enough stress conditions, OFF-State aging largely distorts the ID-VG curves of the transistor, leading to an almost linear dependence on VG. |
Grants: |
Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32
|
Rights: |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. ![Creative Commons](/img/licenses/by-nc-nd.ico) |
Language: |
Anglès |
Document: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
Subject: |
Aging ;
BTI ;
FD-SOI ;
HCI OFF-State ;
NW-FETs ;
Reliability ;
Stress |
Published in: |
Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324, ISSN 1879-2405 |
DOI: 10.1016/j.sse.2022.108324
Available from: 2024-08-30
Postprint
|
The record appears in these collections:
Articles >
Research articlesArticles >
Published articles
Record created 2023-10-10, last modified 2024-05-18