Web of Science: 0 citas, Scopus: 0 citas, Google Scholar: citas
Physical Unclonable Functions based on the post-breakdown current of FDSOI Nanowire Transistors
Goyal, Rishab (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha: 2025
Resumen: Gate oxide Dielectric Breakdown (BD) in Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) structures is a random process, which can be exploited in cryptography applications. Here, the post-BD current in Fully Depleted Silicon on Insulator (FDSOI) high-k Ω-Gate nanowire (NW) transistors is the entropy source used to implement Physical Unclonable Functions (PUFs). The PUF uniformity and uniqueness were evaluated for cryptographic keys generation. Different features that can affect the PUF reliability were analyzed in detail, such as operation temperature, power supply noise and time and cycle-to-cycle stability. The proposed PUFs are resilient to temperature and electrical stress attacks, making them highly suitable for security applications.
Ayudas: Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00199
Agencia Estatal de Investigación PID2022-136949OB-C22
Nota: Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Derechos: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Lengua: Anglès
Documento: Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia: Dielectric Breakdown ; PUF ; Cryptography ; FDSOI ; Nanowire transistors
Publicado en: IEEE electron device letters, 2025 , ISSN 1558-0563

DOI: 10.1109/LED.2025.3577746


Postprint
4 p, 469.2 KB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2025-07-09, última modificación el 2025-10-16



   Favorit i Compartir