Modeling and Simulation of Hysteron Dynamics in HfO2-Based Memristive Devices
Miranda, E. (Universitat Autònoma de Barcelona)
García, H. (Universidad de Valladolid)
Vinuesa, G. (Universidad de Valladolid)
Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona)
Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Castán, Helena (Universidad de Valladolid)
Dueñas, S. (Universidad de Valladolid)

Data:	2026
Resum:	Published studies on memristive devices primarily focus on the conventional current-voltage major hysteresis loop, often overlooking the switching dynamics that emerge under controlled amplitude excitation. The resulting major and minor loops, often referred to as hysterons, provide a more stringent benchmark for model validation, while also offering deeper insight into the key physical mechanisms governing resistive switching. In this work, hysteron behavior in HfO₂-based memristive devices is analyzed within the framework of the Dynamic Memdiode Model (DMM). Hysterons are particularly relevant for neuromorphic computing, as they encode synaptic weights. Both experimental and modeling results indicate that the switching dynamics are predominantly governed by the applied voltage, whereas thermal effects associated with dissipation in the conductive filament appear to play a secondary role or remain implicit within the proposed description. Overall, these findings demonstrate that the DMM provides a robust and effective framework for the analysis and compact modeling of memristive devices. An updated LTspice implementation of the DMM is provided.
Ajuts:	Agencia Estatal de Investigación PID2022-139586NB-C41 Agencia Estatal de Investigación PID2022-139586NB-C42 Agencia Estatal de Investigación PID2022-139586NB-C43 Agencia Estatal de Investigación CNS2023-143898 European Commission 101194172 Agencia Estatal de Investigación PCI2025-163216
Nota:	Altres ajuts: acords transformatius de la UAB
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Memristor ; Resistive switching ; SPICE
Publicat a:	IEEE electron device letters, Vol. 47, Num. 6 (June 2026) , p. 1249-1252, ISSN 1558-0563

DOI: 10.1109/LED.2026.3679261

4 p, 728.1 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats