Optimisation de l'implantation ionique et du recuit thermique pour SiC
Blanqué, Servane
Camassell, J., dir. (Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II)
Godignon, Philippe, dir. (Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II)

Publicació:	Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2005
Nota:	Consultable des del TDX
Nota:	Títol obtingut de la portada digitalitzada
Nota:	Tesi doctoral - Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II, 2004. Tesi doctoral - Universitat Autònoma de Barcelona, Facultat de Ciències, Departament de Física, 2004
Nota:	Bibliografia
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Francès
Document:	Tesi doctoral
Matèria:	Ions ; Implantació ; Carbur de silici
ISBN:	8468922862

Adreça alternativa:: https://hdl.handle.net/10803/3362

116 p, 1.8 MB

115 p, 2.3 MB

1 p, 11.9 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Tesis doctorals